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      1. 高速激光圖形化直寫設備 iGrapher200/iGrapher820

        應用場景

          >> 精密掩膜板
          >> 柔性電子
          >> 傳感器(MEMS/NEMS)
          >> 生物芯片Bio-chip
          >> 科學研究 (微納制造)
          >> 精密印刷掩膜板
          >> 集成成像
          >> 微光學元件
          >> 紅外偏振器件
          >> 納米圖形(可選)
          >> OLED光效提取圖形
          >> 鏤空掩膜板
          >> 教育(微電子、光學、先進制造、機電)
          >> 平板顯示 
          >> 光學防偽

         

        技術特點

          >> 支持8”-65”幅面

          >> 高速圖形化,高速SLM

          >> 高精度浮運動平臺

          >> 頻閃平鋪光斑曝光( Flash Tile Beam Lithography(FTBL)。采用DPSSL UV 激光器

          >> 3D 導航自動聚焦

          >> 支持GDS II,DXF,BMP等文件格式

         

        客戶價值

          >> 高性價比半導體90-130nm節點掩膜制備的直寫系統,支持8英寸圖形化幅面

         

         

        規格參數


               高速激光圖形直寫設備(UV laser pattern generator) iGrapher專門用于精密微電路、和微納模具的無掩模光刻,幅面8英寸-65英寸,線寬>1微米(光學分辨率0.1um-0.5um可調),應用于柔性電路、平板顯示(OLED)、觸控電路、MEMS的光刻工藝、光掩膜制版和微圖形模具制備,是光電子器件、功能材料、微流控、THZ等領域所需的光刻手段。
         
               產業界希望,將設計的微電路圖形或功能微結構,直接將數據光刻轉化成微電路的圖形結構,盡量不采用光掩膜光刻。這要求圖形化直寫設備有足夠高光學分辨率和寫入效率,同時大數據處理方便,重復對位精度高,對環境和基片厚度變化具有自適應性,操作簡便等功能。 iGrapher的精密激光直寫光刻功能,成為新一代無掩模光刻首選。
         
               iGrapher實現了上述希望,突破了一系列關鍵技術難題,在硬件、軟件和工藝上全面提升,實現了大幅面襯底上的微圖形高速直寫,對掩模文件、集成電路文件格式全兼容。采用高速空間光調制器(spatial light modulation),陣列圖形輸入模式(達8k幀),3D導航飛行曝光(3D navigation flying exposure)、納秒時序平鋪曝光(parallelism、 nano-second patterning)技術,專用于光掩模、柔性電子的微圖形(線寬1um-10um)、LIGA工藝、微納模具的高效光刻。


               iGrapher系列設備已用于4寸~8寸MEMS制備、17寸-65寸精密電路制備的工業應用。

         >> iGrapher200
               為微圖形(無掩模)快速制備而設計的小型光刻設備。由紫外激光源、直線電機驅動精密氣浮平臺、空間光調制SLM、自動共焦聚焦系統、光學檢測系統和CCD對準光學系統構成。設備的數據分辨率0.1um/0.25um,系統光學分辨率0.25um,基片尺寸8" wafer,最小線寬1um。


          >> iGrapher820
               為32"~65"光掩模、微圖形而設計的大型無掩模光刻設備。由大功率紫外激光源、直線電機驅動、納米精度氣浮平臺、SLM器件、自動聚焦系統、Z-校正、3D導航檢測系統和CCD對準光學系統構成。數據分辨率0.25um-0.5um,線寬2um~5um。

        iGrapher直寫設備的先進功能介紹:

        1.  在iGrapher直寫設備,在投影光學系統設計的基礎上,應用了空間光調制技術(SLM)、Z-校正和光斑平鋪滾動重疊曝光技術,克服了傳統激光直寫系統的寫入效率不高和數據處理效率低的瓶頸,提升了圖形均勻性和運行效率。
        2. 獨有“光束平鋪頻閃曝光”功能(Beam tile flash patterning, BTFP),寫入速率:300平方毫米/分~3000平方毫米/分鐘(取決于分辨率設定和重疊次數),高速模式達4800平方毫米/分,定位精度±20nm。
        3. “重疊加積分曝光”(superimposed lithography)消除了光斑不均勻,實現5um深紋光刻,CD值<50nm,提升了線寬的一致性。
        4. “3D導航飛行曝光”功能確保在不平整襯底上的圖形寫入精度;“重疊灰度曝光”(grayscale lithography),實現了臺階結構的高效制備。
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