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      1. 研發設施

        研究與中試條件一、工程研發能力

         

        “柔性制造”平臺:模塊化、知識密集、可變尺度和可快速配置。業內規?;?、跨尺度、可快速配置的微納微加工與制造條件。

        1、微納結構制備(圖形化):幅面42寸、0.25um分辨率、1.5um線寬以上任意圖形;幅面42寸、100nm及以上特征結構的納米結構。

        擁有大型紫外微圖形無掩模直寫系統(iGrapher820)、超大型(65”)激光直寫光刻系統(MiScan1500系統)、大型微納米混合光刻直寫系統(HoloScanV);精密電鑄系統,激光刻蝕系統、激光簽注系統;紫外納米光子晶體直寫系統(HoloMakerIIIc)、高速紫外圖形直寫系統,多軸激光并行光刻系統(MicroLab100);大型紫外接近式曝光系統(EXPOSURE-Scan)。

        2、納米壓印工藝
        柔性納米壓印模板
        200nm點陣以上周期結構,1微米以上結構復制、微流控、生物芯片。
        PMMA、PC、PET材料:壓印器件,微納結構壓印薄膜
        UV coating 膠

        擁有UV卷對卷納米壓印設備7套;熱壓納米壓印設備套、納米轉移設備,濺射與熱蒸發蒸鍍設備以及相關其他設備。

        3、LIGA工藝、激光刻蝕
        深紋精密模具:線寬10um-200um,深度5um-100um
        觸摸屏、太陽能電池電極等精密印刷Ni網版
        圖形刻蝕(矩陣、蜂窩、棋盤、圓形、直線等)
        位相光柵、衍射元件、全息圖、精密圖形、MEMS
        LED導光logo、3D成像、空間動感成像(懸浮成像)

        4、微結構器件
        Micro-structure patterns
        基材:PC,Si,石英等
        圖形分辨率1um,深寬比可達5:1,尺寸100mmx100mm
        用于二元光學位相結構
        微流控芯片、生物芯片等。

        擁有精密電鑄系統、激光直接刻蝕系統、激光簽注系統;納米壓印設備、輥筒激光刻蝕設備、大尺寸平板激光刻蝕設備等。

        二、工程化設備

        具有微納加工、柔性材料與器件、跨尺度微納裝備的光、機、電、算工藝一體化實驗和中試條件,可全方位為客戶和合作方提供服務和方案支持。

        • 寬幅激光全息制版系統(HoloScanVe)
        • 大型微納米混合干涉光刻系統(HoloMakerIIIc)
        • 高速紫外圖形化直寫系統(iGrapher200-810)
        • 雙頭混合紫外激光光刻系統(MiScan)
        • 精密多軸激光并行光刻系統(MicroLab100)
        • 超大型紫外激光掩膜直寫系統(iGrapher150)
        • 紫外納米光子晶體直寫系統(6"-12”)(NanoCrystal)
        • 精密電鑄系統(40"-65”):21套;
        • 大型激光刻蝕系統(平板刻蝕、輥筒刻蝕系統)
        • 激光簽注系統
        • 大型紫外接近式曝光系統(EXPOSURE-Scan)
        • UV卷對卷納米壓印設備(14”-65"
        • 熱壓納米壓印設備
        • 納米涂布與轉移設備
        • 濺射-熱蒸發蒸鍍設備以及相關其他設備
        • 大型光刻膠板涂布設備
        • 激光全息曝光系統
        • 光學檢測平臺
        • 精密絲印設備

        三、核心技術

        1、超大尺寸快速圖形化光刻技術
          
        ●大尺寸紫外激光投影直寫光刻系統
          ●超大尺寸微-納混合圖形化直寫系統 
          ● 多軸微納加工設備(新產品)
          ● LED光子晶體快速光刻系統
        特色:(1)65英寸光掩膜(2um線寬)光刻能力。65英寸300nm周期光子晶體或者納米陷光結構的光刻能力。(2)25寸精密光掩膜(0.5um微米分辨率,1微米線寬;0.25um分辨率,1um線寬);支持大尺寸精密導電電路(2um線寬)的快速直寫光刻。

        2、納米壓印技術與模板制造
          ● UV納米壓印工藝與裝備
          ● 卷對卷納米壓印系統(新產品)

        150納米線寬、300納米周期結構的亞波長光學結構、材料與器件的研發條件。1300nm門幅的納米結構光學薄膜的研發條件。雙面UV納米壓印技術是工程研究中心的特色技術。

        3、顯示材料與器件:微納光學膜新方法
          ● 精密激光刻蝕與模具制備系統:支持32寸導光模具制備

          ● 熱壓型卷對卷納米壓印系統與關鍵工藝技術:超薄LED導光板(擴散復合功能)
          ● 微鏡擴散模具制備技術、
          ● 大尺寸透明導電傳感器

        4、3D成像與顯示:機理和技術
          ●
        3D成像與顯示材料的設計與制備技術:3D
        激光打印系統
          ● 基于微透鏡薄膜的激光空間成像技術
          ● 真彩色立體圖像處理、 三維真彩色顯示屏

         

        四、研究條件(場地)

        6000平米實驗樓,其中,3000平米凈化實驗室。中試線:4000平米中試基地(凈化):柔性制造中試基地(微納光學、光電膜)、微納圖形化與器件加工中試基地(納米圖形化、光子晶體、納米功能器件與材料)。

        五、檢測儀器

        微納設備與檢測儀器:光刻膠涂布、紫外光刻、ICP、IRE、電鑄、納米壓印、激光直寫、超聲清洗;涂布設備、激光蝕刻系統、微納圖形化直寫、蒸鍍設備、UV納米壓印設備、全息實驗系統、薄膜結構轉移、直接熱壓印系統、和大幅面LIGA工藝;臺階儀、金相顯微鏡、3D共焦顯微鏡、原子力顯微鏡和氣相色譜儀等。


         

        技術文檔下載

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